热门关键词： In-situ洗净碳素纤维改质薄膜上常温成膜洗净/去除(灰化) 半导体衬底成膜

您的位置： > 主页 > 超纯臭氧发生器

上一页

下一页

纯臭氧水发生器（超高浓度/高纯度）400 mg/L

品牌：日本明电舍
介绍：开发了一种可以使用纯臭氧水实现的强大氧化促进方法，预计将在半导体工艺中用于去除高离子注入的光刻胶。
浓度：0.3～1.0升/分钟
特点：可产生臭氧水浓度高达400 mg/L或更高。
应用： 高离子浓度光刻胶去除的半导体晶圆

标签： 高浓度臭氧发生器

产品特点

超高浓度
使用纯臭氧气体（≒100%）和减压生成方法（申请中），通过独特的制造方法稳定地生产纯臭氧水，浓度高达400 mg/L或更高。※1）
※1 仅在特定条件下才能生成的最大浓度。

超高浓度

高纯度
使用不含氧气或重金属等杂质气体的臭氧气体，实现高纯度。

高纯度

减压生成方法使得臭氧水在大气压下使用时，能够长时间保持其浓度而不迅速降低。

纯臭氧水

纯臭氧水

持久专注

持久专注

我们的※2工艺技术
开发了一种可以使用纯臭氧水实现的强大氧化促进方法，预计将在半导体工艺中用于去除高离子注入的光刻胶。
※2 用于自由基生成的臭氧水

基于浓度的抗性去除率变化

安全措施
・本设备在减压下生成臭氧气体和臭氧水。
・这是遵循POG培养的可靠设计思想的安全设备设计，即使在高纯度、低温、低压下也不会引起危险反应。
标准认证
・国际安全标准※3 (SEMI-S2, UL, NFPA, CE, 等）
※3 计划在2024财年获得
质量保证
・在向客户交付设备前，对设备的性能进行验证并在客户现场进行操作检查。
・通过第三方认证机构的痕量气体测试来证明安全性。

应用与解决方案

1. 高离子浓度光刻胶去除的半导体晶圆

2. 碳树脂和其他碳纤维的表面改性

３．除油和清洁工业产品

4. 索引颜料及其他粉末涂料材料的性能改进

产品规格

臭氧浓度	0～400毫克/升
水温	5～20℃
流量	0.3～1.0升/分钟
纯度	杂质浓度低于 ppt
臭氧水生成方法	减压生成方法
操作方法	批次类型（2024财年将发布连续型）
尺寸（不包括突出部分）	低容量类型：W1,900×D1,000×H1,980毫米高容量类型：W2,200×D1,000×H1,980毫米
质量	低容量类型：1,345千克高容量类型：1,501千克

热品推荐 / Hot product

: 超纯臭氧发生器的好处

超纯臭氧发生器的好处超纯臭氧发生器是一台将臭氧气体液化并储存，并且能够连续供应高纯度臭氧气体的装置。由于其高纯度的臭氧水平，它可以作为半导体工艺中的氧自由基生成...

: 问候语

问候语取締役社長三井田健 2017年我们庆祝公司成立120周年。我们要感谢许多客户的信任和惠顾。迈登集团以创造更美好的未来和让客户安心，快乐的企业理念为基础，建立了新的企...

: 明电舍温室气体减排目标（向上修订）

温室气体减排目标（向上修订）修订前（于2018年5月宣布）校正后（2021年4月〜） 2030年目标表现 2030年目标[SBT认证] 业务活动产生的排放（范围1 + 2）减少30％（与2017年相比） 2019年...

: 提高中长期温室气体减排目标并获得SBT认证

明电社株式会社（社长：东京都品川区三井田贤代，下称明电社）正根据从2021年开始实施的新的中期经营计划，致力于向2050年实现碳中和的社会脱碳目标。将向上修订2030财年（中间阶...

: 高品质金属氧化物薄膜成长

效果利用纯臭氧作为氧气源可以形成高品质的金属氧化物薄膜。利用纯臭氧作为氧气源的优越性得到国际认知。...

应用实例

高品质金属氧化物薄膜成长方案

碳素纤维的改质方案

洗净/去除(灰化)方案

半导体衬底成膜方案

In-situ洗净方案

薄膜上常温成膜方案

推荐产品

: 纯臭氧水发生器（超高浓度/高纯度）400 mg/

: 高浓度超纯臭氧发生器(连续供给类型)

全国服务热线

010-82461830

网站首页

臭氧实验公众号

联系我们

明電舎 MEIDENSHA半导体设备制造商!

电话010-82461830
邮箱725576102@qq.com
地址北京市海淀区SOCO公社一层

电话

010-82461830
微信客服
返回顶部

Copyright © www.pureozone.cn 版权所有